DSJet以“專利金百項目”為核心，實現干冰雪花清洗技術重大突破

發(fā)布時間：2025-11-11 所屬分類：【DSjet技術】閱讀：6956

在摩爾定律持續(xù)逼近物理極限的今天，半導體制造的良率與精度日益依賴于每一道工序的極致潔凈。迪史潔（上海）清洗設備有限公司，憑借其前瞻性的戰(zhàn)略布局與深厚的科技積淀，

以 “專利金百項目” 為創(chuàng)新引擎，在半導體前道制程及先進封裝領域取得了里程碑式的技術突破，為行業(yè)提供了顛覆性的綠色清洗解決方案。

一、 直面行業(yè)痛點：顛覆傳統(tǒng)，破解清洗難題

傳統(tǒng)濕法清洗在半導體制造中面臨嚴峻挑戰(zhàn)：

化學殘留風險：化學品及超純水易在納米級結構中殘留，導致器件性能劣化。

物理損傷：液體表面張力導致的高深寬比結構“拉拔效應”（Stiction），使精細結構坍塌。

環(huán)境影響：巨額耗水與高純度化學廢液處理帶來巨大的環(huán)保與成本壓力。

兼容性瓶頸：難以適用于新型低k介質、超薄晶圓及MEMS等敏感器件。

迪史潔的研發(fā)，正是為了從根本上破解這些難題。

二、 核心技術突破：“專利金百項目”的三大創(chuàng)新維度

我們的“專利金百項目”并非單一技術，而是一個涵蓋材料、裝備、工藝的系統(tǒng)性技術矩陣。

超精密雪花控制技術

突破點：通過獨有的多級減壓與溫控噴嘴，實現了干冰雪花顆粒度的亞微米級精準控制（可達0.5-1μm）。雪花顆粒均勻、動能一致，確保了清洗的均勻性與可重復性。

行業(yè)價值：可安全應用于3nm/5nm制程的晶圓，清洗后關鍵尺寸變化可忽略不計，完美保護電路結構的完整性。

晶圓無損夾持與全域溫度場管理技術

突破點：針對晶圓對熱應力與機械應力極度敏感的特性，開發(fā)了靜電夾持與背面低溫循環(huán)耦合系統(tǒng)。在清洗過程中，晶圓表面溫度可穩(wěn)定控制在-50℃至-20℃的精確區(qū)間，既保證了清洗效率，

又徹底杜絕了因急冷急熱導致的晶圓翹曲或隱裂。

行業(yè)價值：為超薄晶圓（厚度<100μm）的清洗提供了前所未有的可靠保障。

智能化在線監(jiān)測與閉環(huán)控制技術

突破點：集成高精度光譜與顆粒度在線傳感器，實時監(jiān)測清洗腔體內的顆粒物濃度與化學成分。基于AI算法，系統(tǒng)能自動調整雪花噴射參數與流程時間，實現 “感知-決策-執(zhí)行”

的全程閉環(huán)智能控制。

行業(yè)價值：實現了從“經驗式清洗”到“數據驅動式清洗”的跨越，使每一片晶圓的清洗過程都可追溯、可優(yōu)化，為實現 “零缺陷”制造奠定了基礎。

三、 標志性應用成果：已在關鍵工藝節(jié)點驗證

迪史潔的干冰雪花清洗設備已在多家頭部半導體企業(yè)的生產線上完成驗證，并取得顯著成效：

應用一：EUV光刻后殘留物去除

成功清除EUV光刻后難以處理的金屬有機殘留物，清洗率>99.9%，且對EUV光罩膜零損傷，替代了多種高成本、高風險的化學品組合。

應用二：MEMS器件結構釋放

在MEMS陀螺儀和加速度計的微橋、懸臂梁釋放工藝中，憑借零表面張力的特性，完美避免了結構粘連（Stiction）問題，良率提升超過15%。

應用三：先進封裝硅通孔（TSV）清潔

有效清除TSV深孔內的鉆污和顆粒，為后續(xù)的無缺陷銅填充提供了絕對潔凈的界面，大幅降低了封裝互連的失效率。

四、 研發(fā)愿景與未來布局

迪史潔的“專利金百項目”不僅是技術攻堅，更承載著我們對產業(yè)未來的承諾：

綠色制造：推動半導體產業(yè)向 “零化學排放、零水耗” 的終極目標邁進。

智能升級：深度融合工業(yè)4.0，打造半導體智慧工廠的“潔凈感知”節(jié)點。

材料兼容：持續(xù)拓展技術在第三代半導體（SiC, GaN）及二維材料等前沿領域的應用。


迪史潔（上海）清洗設備有限公司，正以扎實的科技創(chuàng)新，將一項曾經主要應用于工業(yè)領域的清洗技術，錘煉成為半導體尖端制造的“神來之筆”。我們不僅是清洗設備的提供者，

更是中國半導體產業(yè)邁向高端、實現供應鏈安全與自主可控之路上的堅定同行者。